Trong ngành chip đang bị ASML thống trị, Nga bất ngờ tung ra lộ trình EUV lithography "made in Russia" tại bước sóng 11.2nm – khác hẳn chuẩn 13.5nm của Hà Lan
Kế hoạch bắt đầu năm 2026-2028 với máy lithography 40nm, dùng hệ thống quang học hai gương, độ chính xác overlay 10nm, trường tiếp xúc 3x3 mm và năng suất hơn 5 wafer/giờ – một bước "nhập môn" khiêm tốn để thay thế DUV hiện tại. Tiếp theo, giai đoạn 2029-2032 nâng cấp lên scanner 28nm (có thể 14nm) với bốn gương, overlay 5nm, trường 26x0.5 mm và hơn 50 wafer/giờ. Cuối cùng, 2033-2036 nhắm giảm xuống sub-10nm với sáu gương, overlay 2nm, trường 26x2 mm và trên 100 wafer/giờ.
Theo Tom's Hardware, độ phân giải từ 65nm xuống 9nm sẽ hỗ trợ các lớp quan trọng cho chip 2025-2027, với chi phí mỗi máy thấp hơn Twinscan NXE của ASML nhờ thiết kế đơn giản hơn. So với lộ trình cũ, phiên bản mới "thực tế hơn" vì tập trung vào foundry nhỏ thay vì fab hyperscale. Đây là nỗ lực tự chủ sau cấm vận nhưng chưa rõ timeline cụ thể cho từng mốc.
Nga tránh copy ASML, chọn laser hybrid solid-state, nguồn sáng plasma xenon và gương Ru/Be phản xạ 11.2nm – giảm bảo trì đáng kể. Không cần chất lỏng ngâm cao áp hay multi-patterning như DUV của ASML, giúp quy trình sạch hơn. Bước sóng ngắn hơn (11.2nm vs 13.5nm) hứa hẹn độ phân giải tốt hơn 20%, phù hợp chất cản quang nhạy cảm hơn.
Tuy nhiên, đây là "con dao hai lưỡi": Sử dụng bước sóng phi tiêu chuẩn đòi hỏi toàn bộ hệ sinh thái mới. Từ gương đánh bóng, quang học, nguồn sáng, PSU đến cản quang đều chưa tồn tại. Tom's Harware chỉ ra công cụ thiết kế bán dẫn EDA cần chỉnh sửa OPC/RET cho 11.2nm có thể mất hàng thập kỷ. So với ASML (20 năm phát triển EUV), Nga đang "nhảy cóc". Điểm hấp dẫn cho foundry nhỏ nhờ chi phí thấp, nhưng rủi ro cao nếu không vượt qua phức tạp quang học.
Dù "lạc quan", lộ trình này phải chứng minh tính khả thi. Nga vẫn đang dùng DUV 90nm (MC-800 vào tháng 3/2025), xa vời 14nm mục tiêu 2030. Cấm vận hạn chế tiếp cận công nghệ, nguồn xenon plasma dù sạch nhưng hiệu suất chuyển đổi thấp hơn tin (theo VPK). iMedia nhấn mạnh, lợi ích cho node sau như an toàn hơn, nhưng bỏ qua chi phí R&D khổng lồ cho laser 11.2nm.
#Cuộcchiếnbándẫn
Kế hoạch bắt đầu năm 2026-2028 với máy lithography 40nm, dùng hệ thống quang học hai gương, độ chính xác overlay 10nm, trường tiếp xúc 3x3 mm và năng suất hơn 5 wafer/giờ – một bước "nhập môn" khiêm tốn để thay thế DUV hiện tại. Tiếp theo, giai đoạn 2029-2032 nâng cấp lên scanner 28nm (có thể 14nm) với bốn gương, overlay 5nm, trường 26x0.5 mm và hơn 50 wafer/giờ. Cuối cùng, 2033-2036 nhắm giảm xuống sub-10nm với sáu gương, overlay 2nm, trường 26x2 mm và trên 100 wafer/giờ.
Theo Tom's Hardware, độ phân giải từ 65nm xuống 9nm sẽ hỗ trợ các lớp quan trọng cho chip 2025-2027, với chi phí mỗi máy thấp hơn Twinscan NXE của ASML nhờ thiết kế đơn giản hơn. So với lộ trình cũ, phiên bản mới "thực tế hơn" vì tập trung vào foundry nhỏ thay vì fab hyperscale. Đây là nỗ lực tự chủ sau cấm vận nhưng chưa rõ timeline cụ thể cho từng mốc.
Nga tránh copy ASML, chọn laser hybrid solid-state, nguồn sáng plasma xenon và gương Ru/Be phản xạ 11.2nm – giảm bảo trì đáng kể. Không cần chất lỏng ngâm cao áp hay multi-patterning như DUV của ASML, giúp quy trình sạch hơn. Bước sóng ngắn hơn (11.2nm vs 13.5nm) hứa hẹn độ phân giải tốt hơn 20%, phù hợp chất cản quang nhạy cảm hơn.
Tuy nhiên, đây là "con dao hai lưỡi": Sử dụng bước sóng phi tiêu chuẩn đòi hỏi toàn bộ hệ sinh thái mới. Từ gương đánh bóng, quang học, nguồn sáng, PSU đến cản quang đều chưa tồn tại. Tom's Harware chỉ ra công cụ thiết kế bán dẫn EDA cần chỉnh sửa OPC/RET cho 11.2nm có thể mất hàng thập kỷ. So với ASML (20 năm phát triển EUV), Nga đang "nhảy cóc". Điểm hấp dẫn cho foundry nhỏ nhờ chi phí thấp, nhưng rủi ro cao nếu không vượt qua phức tạp quang học.
Dù "lạc quan", lộ trình này phải chứng minh tính khả thi. Nga vẫn đang dùng DUV 90nm (MC-800 vào tháng 3/2025), xa vời 14nm mục tiêu 2030. Cấm vận hạn chế tiếp cận công nghệ, nguồn xenon plasma dù sạch nhưng hiệu suất chuyển đổi thấp hơn tin (theo VPK). iMedia nhấn mạnh, lợi ích cho node sau như an toàn hơn, nhưng bỏ qua chi phí R&D khổng lồ cho laser 11.2nm.
#Cuộcchiếnbándẫn