The Storm Riders
Writer
SK Hynix vừa chính thức trở thành công ty đầu tiên trong ngành công nghiệp bộ nhớ đưa thiết bị High-NA EUV vào nhà máy sản xuất hàng loạt M16 tại Icheon. Vào ngày 3, SK Hynix đã tổ chức buổi lễ kỷ niệm việc tiếp nhận thiết bị "High-NA EUV" tại khuôn viên Icheon. Buổi lễ có sự tham dự của Chủ tịch ASML Hàn Quốc Kim Byung-chan, bên cạnh Phó Chủ tịch của SK Hynix là Cha Seon-yong (Giám đốc Viện Nghiên cứu Công nghệ Tương lai, CTO) và Lee Byung-ki (Phụ trách Công nghệ Sản xuất).
Thiết bị được đưa về lần này là mẫu "TWINSCAN EXE:5200B" của công ty ASML. Đây là mẫu máy High-NA EUV đầu tiên trên thế giới thiết kế cho mục đích sản xuất hàng loạt. So với các máy EUV hiện có (khẩu độ số 0.33), công nghệ quang học tiên tiến của nó (khẩu độ số 0.55) được cải thiện tới 40%, cho phép hình thành các mạch điện chính xác hơn 1.7 lần và đạt được mật độ tích hợp cao hơn 2.9 lần.
Với việc đưa thiết bị này vào vận hành, SK Hynix có kế hoạch đơn giản hóa quy trình EUV hiện tại và đẩy nhanh tốc độ phát triển bộ nhớ thế hệ tiếp theo, qua đó đảm bảo cả hiệu suất sản phẩm và khả năng cạnh tranh về giá. Công ty kỳ vọng điều này sẽ giúp củng cố vị thế của mình trên thị trường bộ nhớ giá trị gia tăng cao và khẳng định vai trò dẫn đầu về công nghệ. Kể từ khi lần đầu tiên áp dụng EUV cho DRAM 10nm thế hệ thứ tư (1a) vào năm 2021, SK Hynix đã liên tục mở rộng việc ứng dụng EUV trong sản xuất DRAM tiên tiến nhất.
Ông Kim Byung-chan, Chủ tịch ASML Hàn Quốc, phát biểu: "High-NA EUV là công nghệ cốt lõi mở ra tương lai của ngành công nghiệp bán dẫn. Chúng tôi sẽ hợp tác chặt chẽ với SK Hynix và tích cực hỗ trợ để đẩy nhanh quá trình đổi mới công nghệ bộ nhớ bán dẫn thế hệ tiếp theo."
Tiếp lời, CTO Cha Seon-yong của SK Hynix tự tin khẳng định: "Với việc tiếp nhận thiết bị này, công ty đã đảm bảo được một cơ sở hạ tầng cốt lõi để hiện thực hóa tầm nhìn công nghệ tương lai mà chúng tôi đang theo đuổi. Chúng tôi sẽ dẫn đầu thị trường bộ nhớ AI bằng cách hiện thực hóa các loại bộ nhớ tiên tiến nhất mà thị trường AI và máy tính thế hệ tiếp theo đang đòi hỏi, bằng công nghệ tiên tiến nhất."
Thiết bị được đưa về lần này là mẫu "TWINSCAN EXE:5200B" của công ty ASML. Đây là mẫu máy High-NA EUV đầu tiên trên thế giới thiết kế cho mục đích sản xuất hàng loạt. So với các máy EUV hiện có (khẩu độ số 0.33), công nghệ quang học tiên tiến của nó (khẩu độ số 0.55) được cải thiện tới 40%, cho phép hình thành các mạch điện chính xác hơn 1.7 lần và đạt được mật độ tích hợp cao hơn 2.9 lần.
Với việc đưa thiết bị này vào vận hành, SK Hynix có kế hoạch đơn giản hóa quy trình EUV hiện tại và đẩy nhanh tốc độ phát triển bộ nhớ thế hệ tiếp theo, qua đó đảm bảo cả hiệu suất sản phẩm và khả năng cạnh tranh về giá. Công ty kỳ vọng điều này sẽ giúp củng cố vị thế của mình trên thị trường bộ nhớ giá trị gia tăng cao và khẳng định vai trò dẫn đầu về công nghệ. Kể từ khi lần đầu tiên áp dụng EUV cho DRAM 10nm thế hệ thứ tư (1a) vào năm 2021, SK Hynix đã liên tục mở rộng việc ứng dụng EUV trong sản xuất DRAM tiên tiến nhất.
Ông Kim Byung-chan, Chủ tịch ASML Hàn Quốc, phát biểu: "High-NA EUV là công nghệ cốt lõi mở ra tương lai của ngành công nghiệp bán dẫn. Chúng tôi sẽ hợp tác chặt chẽ với SK Hynix và tích cực hỗ trợ để đẩy nhanh quá trình đổi mới công nghệ bộ nhớ bán dẫn thế hệ tiếp theo."
Tiếp lời, CTO Cha Seon-yong của SK Hynix tự tin khẳng định: "Với việc tiếp nhận thiết bị này, công ty đã đảm bảo được một cơ sở hạ tầng cốt lõi để hiện thực hóa tầm nhìn công nghệ tương lai mà chúng tôi đang theo đuổi. Chúng tôi sẽ dẫn đầu thị trường bộ nhớ AI bằng cách hiện thực hóa các loại bộ nhớ tiên tiến nhất mà thị trường AI và máy tính thế hệ tiếp theo đang đòi hỏi, bằng công nghệ tiên tiến nhất."