Hail the Judge
Ta chơi xong không trả tiền, vậy đâu có gọi là bán
SK Hynix vừa chính thức thông báo đã hoàn tất việc phát triển, bắt đầu đi vào sản xuất hàng loạt sản phẩm bộ nhớ flash NAND QLC 321 lớp với dung lượng 2Tb (terabit). Công ty vào ngày 25 đã cho biết để tối đa hóa ưu thế cạnh tranh về giá thành, họ đã phát triển sản phẩm với dung lượng 2Tb, gấp đôi so với các sản phẩm hiện có.
Để hiểu rõ hơn về công nghệ này, bộ nhớ flash NAND được phân loại dựa trên số lượng bit thông tin có thể lưu trữ trong một ô nhớ (cell), bao gồm SLC (1 bit), MLC (2 bit), TLC (3 bit), QLC (4 bit) và PLC (5 bit). Đặc điểm công nghệ này là lượng thông tin lưu trữ càng tăng, cùng diện tích có thể chứa được càng nhiều dữ liệu hơn.
Thông thường, khi dung lượng của NAND tăng lên, việc phải lưu trữ nhiều thông tin hơn trong một ô nhớ sẽ làm cho việc quản lý bộ nhớ trở nên phức tạp hơn, dẫn đến vấn đề tốc độ xử lý dữ liệu bị chậm lại. Để giải quyết bài toán suy giảm hiệu năng do dung lượng lớn, SK Hynix đã tăng số lượng "plane" - các đơn vị có thể hoạt động độc lập bên trong chip NAND - từ 4 lên 6, cho phép thực hiện nhiều tác vụ song song hơn và cải thiện hiệu suất đọc đồng thời.
Nhờ đó, sản phẩm lần này không chỉ có dung lượng cao mà còn sở hữu hiệu năng được cải thiện vượt trội so với các sản phẩm QLC trước đây. Cụ thể, tốc độ truyền dữ liệu nhanh hơn 100%, hiệu suất ghi tăng tối đa 56%, và hiệu suất đọc cải thiện 18%. Đáng chú ý, hiệu suất sử dụng năng lượng khi ghi dữ liệu cũng tăng hơn 23%, giúp sản phẩm đảm bảo tính cạnh tranh trong các lĩnh vực yêu cầu điện năng thấp như trung tâm dữ liệu AI.
Theo chiến lược của công ty, sản phẩm NAND 321 lớp sẽ được ứng dụng đầu tiên trên các ổ cứng SSD dành cho máy tính cá nhân (PC), sau đó sẽ mở rộng sang các sản phẩm eSSD cho trung tâm dữ liệu và UFS cho điện thoại thông minh. Xa hơn nữa, SK Hynix đặt mục tiêu tấn công mạnh mẽ vào thị trường eSSD dung lượng siêu cao dành cho máy chủ AI, dựa trên công nghệ đóng gói độc quyền có thể xếp chồng 32 chip NAND cùng lúc, giúp đạt được mật độ tích hợp cao gấp đôi so với hiện tại.
SK Hynix nhấn mạnh: "Chúng tôi đã một lần nữa vượt qua các giới hạn kỹ thuật khi trở thành công ty đầu tiên trên thế giới hiện thực hóa công nghệ NAND trên 300 lớp bằng phương thức QLC. Với sản phẩm có mật độ tích hợp cao nhất trong số các sản phẩm NAND hiện có, chúng tôi sẽ tiến hành lấy chứng nhận từ các khách hàng toàn cầu và chính thức tấn công vào thị trường trung tâm dữ liệu Trí tuệ nhân tạo (AI) bắt đầu từ nửa đầu năm sau."
Ông Jung Woo-pyo, Phó Chủ tịch kiêm Trưởng bộ phận Phát triển NAND tại SK Hynix, cho biết: "Với việc bắt đầu sản xuất hàng loạt sản phẩm này, chúng tôi đã củng cố mạnh mẽ danh mục sản phẩm dung lượng cao và đảm bảo được cả khả năng cạnh tranh về giá. Để đáp ứng nhu cầu AI đang tăng trưởng bùng nổ và các yêu cầu hiệu năng cao của thị trường trung tâm dữ liệu, chúng tôi sẽ thực hiện một bước nhảy vọt lớn hơn nữa với tư cách là một nhà cung cấp bộ nhớ AI toàn diện (full-stack AI memory provider)."
Để hiểu rõ hơn về công nghệ này, bộ nhớ flash NAND được phân loại dựa trên số lượng bit thông tin có thể lưu trữ trong một ô nhớ (cell), bao gồm SLC (1 bit), MLC (2 bit), TLC (3 bit), QLC (4 bit) và PLC (5 bit). Đặc điểm công nghệ này là lượng thông tin lưu trữ càng tăng, cùng diện tích có thể chứa được càng nhiều dữ liệu hơn.
Thông thường, khi dung lượng của NAND tăng lên, việc phải lưu trữ nhiều thông tin hơn trong một ô nhớ sẽ làm cho việc quản lý bộ nhớ trở nên phức tạp hơn, dẫn đến vấn đề tốc độ xử lý dữ liệu bị chậm lại. Để giải quyết bài toán suy giảm hiệu năng do dung lượng lớn, SK Hynix đã tăng số lượng "plane" - các đơn vị có thể hoạt động độc lập bên trong chip NAND - từ 4 lên 6, cho phép thực hiện nhiều tác vụ song song hơn và cải thiện hiệu suất đọc đồng thời.
Nhờ đó, sản phẩm lần này không chỉ có dung lượng cao mà còn sở hữu hiệu năng được cải thiện vượt trội so với các sản phẩm QLC trước đây. Cụ thể, tốc độ truyền dữ liệu nhanh hơn 100%, hiệu suất ghi tăng tối đa 56%, và hiệu suất đọc cải thiện 18%. Đáng chú ý, hiệu suất sử dụng năng lượng khi ghi dữ liệu cũng tăng hơn 23%, giúp sản phẩm đảm bảo tính cạnh tranh trong các lĩnh vực yêu cầu điện năng thấp như trung tâm dữ liệu AI.
Theo chiến lược của công ty, sản phẩm NAND 321 lớp sẽ được ứng dụng đầu tiên trên các ổ cứng SSD dành cho máy tính cá nhân (PC), sau đó sẽ mở rộng sang các sản phẩm eSSD cho trung tâm dữ liệu và UFS cho điện thoại thông minh. Xa hơn nữa, SK Hynix đặt mục tiêu tấn công mạnh mẽ vào thị trường eSSD dung lượng siêu cao dành cho máy chủ AI, dựa trên công nghệ đóng gói độc quyền có thể xếp chồng 32 chip NAND cùng lúc, giúp đạt được mật độ tích hợp cao gấp đôi so với hiện tại.
SK Hynix nhấn mạnh: "Chúng tôi đã một lần nữa vượt qua các giới hạn kỹ thuật khi trở thành công ty đầu tiên trên thế giới hiện thực hóa công nghệ NAND trên 300 lớp bằng phương thức QLC. Với sản phẩm có mật độ tích hợp cao nhất trong số các sản phẩm NAND hiện có, chúng tôi sẽ tiến hành lấy chứng nhận từ các khách hàng toàn cầu và chính thức tấn công vào thị trường trung tâm dữ liệu Trí tuệ nhân tạo (AI) bắt đầu từ nửa đầu năm sau."
Ông Jung Woo-pyo, Phó Chủ tịch kiêm Trưởng bộ phận Phát triển NAND tại SK Hynix, cho biết: "Với việc bắt đầu sản xuất hàng loạt sản phẩm này, chúng tôi đã củng cố mạnh mẽ danh mục sản phẩm dung lượng cao và đảm bảo được cả khả năng cạnh tranh về giá. Để đáp ứng nhu cầu AI đang tăng trưởng bùng nổ và các yêu cầu hiệu năng cao của thị trường trung tâm dữ liệu, chúng tôi sẽ thực hiện một bước nhảy vọt lớn hơn nữa với tư cách là một nhà cung cấp bộ nhớ AI toàn diện (full-stack AI memory provider)."