Samsung đạt được đột phá mới trong công nghệ sản xuất DRAM

[Hail the Judge]

Theo SEDaily, vào năm 2024, công nghệ 1c nm DRAM (thế hệ thứ 6 của quy trình 10nm) của Samsung chỉ đạt tỷ lệ thành phẩm dưới 30%, gây khó khăn cho việc sản xuất hàng loạt. Tuy nhiên đến tháng 5/2025, nhờ những cải tiến trong thiết kế, tỷ lệ này đã tăng đáng kể lên 50-70% trong các bài kiểm tra hiệu suất. MK còn lạc quan hơn báo cáo tỷ lệ thành phẩm gần đây đã vượt 60%. Đây là một bước tiến kỹ thuật ấn tượng cho thấy Samsung đang vượt qua những thách thức trước đó.

Cả SEDaily và MK đều nhấn mạnh rằng sự cải thiện tỷ lệ thành phẩm đến từ những thay đổi thiết kế đột phá. Dù những thay đổi này khiến thời gian sản xuất hàng loạt bị trì hoãn, chúng đã mang lại kết quả kỹ thuật đáng kể. Các cải tiến có thể bao gồm tối ưu hóa cấu trúc mạch, cải thiện quản lý nhiệt hoặc nâng cao độ ổn định của quy trình sản xuất, như đã đề cập trong các báo cáo về 1c nm.

Việc cải thiện tỷ lệ thành phẩm của 1c nm DRAM có ý nghĩa lớn vì đây là nền tảng cho HBM4, dòng bộ nhớ băng thông cao (High Bandwidth Memory) thế hệ mới của Samsung. Sau khi để mất vị trí dẫn đầu doanh thu DRAM vào tay SK Hynix trong quý 1/2025 do khó khăn trong thị trường HBM, Samsung đang đặt nhiều kỳ vọng vào HBM4 để “phục hận”. Với tỷ lệ thành phẩm đạt 50-70%, Samsung đang tiến gần hơn đến mục tiêu sản xuất hàng loạt HBM4 dự kiến bắt đầu vào cuối năm 2025.