Một cựu giám đốc điều hành của Samsung Electronics đã bị bắt giữ vì cáo buộc cung cấp công nghệ sản xuất DRAM bị đánh cắp từ Samsung cho công ty bán dẫn chip nhớ Trung Quốc.
Theo thông tin tổng hợp từ Maeil Business Newspaper vào ngày 1, Bộ Điều tra Tội phạm Công nghệ Thông tin của Văn phòng Công tố Quận Trung tâm Seoul (Trưởng công tố Kim Yun-yong) đã bắt giữ ba cựu nhân viên Samsung Electronics, bao gồm ông Yang (cựu giám đốc điều hành của Samsung Electronics), vào ngày 18 tháng trước. Họ bị buộc tội vi phạm Đạo luật Bảo vệ Công nghệ Công nghiệp và Đạo luật Chống Cạnh tranh không lành mạnh.
Ông Yang và các đồng phạm bị cáo buộc đã lần lượt chuyển sang làm việc tại ChangXin Memory Technologies (CXMT) của Trung Quốc vào khoảng năm 2016-2018. Sau đó, họ đã giúp CXMT áp dụng công nghệ DRAM 18 nanomet của Samsung Electronics vào quy trình sản xuất hàng loạt. Theo công tố viên, nhờ sự giúp đỡ của họ, CXMT đã thành công trong việc sản xuất DRAM 18 nanomet, và kết quả là CXMT đã trở thành nhà sản xuất DRAM số 1 tại Trung Quốc. Được biết, Samsung Electronics đã đầu tư khoảng 1,6 nghìn tỷ won vào việc phát triển công nghệ này.
Đây là lần đầu tiên một người không trực tiếp đánh cắp thông tin, mà lại là người giúp áp dụng công nghệ bị đánh cắp vào quy trình thực tế, bị bắt giữ. Về vấn đề này, một chuyên gia bán dẫn nhận định: "Đối với bán dẫn, toàn bộ quá trình từ thiết kế quy trình đến điều chỉnh để sản xuất hàng loạt đều là công nghệ độc quyền và bí mật. Việc chuyển giao cho đối thủ cạnh tranh đương nhiên là một tội ác."
Các bị cáo này là đồng phạm của ông Kim (cựu trưởng phòng Samsung Electronics), người đã nhận mức án cao nhất từ trước đến nay cho tội danh rò rỉ công nghệ. Ông Kim đã chuyển sang CXMT vào năm 2016 khi công ty này được thành lập, bị cáo buộc đã nhận hàng tỷ won tiền hối lộ để đổi lấy việc chuyển giao thông tin quy trình DRAM 18 nanomet bị đánh cắp từ Samsung Electronics và lôi kéo khoảng 20 nhân viên của Samsung. Ông Kim đã bị kết án 6 năm tù và phạt 200 triệu won trong phiên phúc thẩm.
Điều tra cho thấy ông Yang và các đồng phạm đã nhận thông tin quy trình bị ông Kim tiết lộ và liên tục can thiệp để giúp CXMT thành công trong việc sản xuất DRAM hàng loạt. Trong số thông tin mà họ nhận được từ ông Kim, có cả tài liệu sao chép thủ công chi tiết khoảng 600 bước quy trình sản xuất DRAM 18 nanomet.
Công tố viên cho rằng CXMT đã có thể vượt qua "rào cản công nghệ bán dẫn bộ nhớ", vốn được coi là điểm yếu của Trung Quốc, nhờ vào hành vi phạm tội của những người này. Trước khi đánh cắp thông tin quy trình của Samsung Electronics, CXMT chỉ sản xuất DRAM cũ với giá trị thị trường thấp, hầu như không có thị phần trong thị trường bán dẫn bộ nhớ. Tuy nhiên, việc sản xuất DRAM 18 nanomet đã giúp họ chiếm thị phần lớn nhất tại thị trường nội địa Trung Quốc. Trong quý 1 năm nay, CXMT đã vươn lên vị trí thứ 4 về thị phần DRAM toàn cầu, sau SK Hynix, Samsung Electronics và Micron.
Công tố viên dự kiến sẽ sớm truy tố ông Yang và các đồng phạm, đồng thời tiếp tục điều tra những đồng phạm còn lại đang làm việc tại CXMT.
Theo thông tin tổng hợp từ Maeil Business Newspaper vào ngày 1, Bộ Điều tra Tội phạm Công nghệ Thông tin của Văn phòng Công tố Quận Trung tâm Seoul (Trưởng công tố Kim Yun-yong) đã bắt giữ ba cựu nhân viên Samsung Electronics, bao gồm ông Yang (cựu giám đốc điều hành của Samsung Electronics), vào ngày 18 tháng trước. Họ bị buộc tội vi phạm Đạo luật Bảo vệ Công nghệ Công nghiệp và Đạo luật Chống Cạnh tranh không lành mạnh.
Ông Yang và các đồng phạm bị cáo buộc đã lần lượt chuyển sang làm việc tại ChangXin Memory Technologies (CXMT) của Trung Quốc vào khoảng năm 2016-2018. Sau đó, họ đã giúp CXMT áp dụng công nghệ DRAM 18 nanomet của Samsung Electronics vào quy trình sản xuất hàng loạt. Theo công tố viên, nhờ sự giúp đỡ của họ, CXMT đã thành công trong việc sản xuất DRAM 18 nanomet, và kết quả là CXMT đã trở thành nhà sản xuất DRAM số 1 tại Trung Quốc. Được biết, Samsung Electronics đã đầu tư khoảng 1,6 nghìn tỷ won vào việc phát triển công nghệ này.
Đây là lần đầu tiên một người không trực tiếp đánh cắp thông tin, mà lại là người giúp áp dụng công nghệ bị đánh cắp vào quy trình thực tế, bị bắt giữ. Về vấn đề này, một chuyên gia bán dẫn nhận định: "Đối với bán dẫn, toàn bộ quá trình từ thiết kế quy trình đến điều chỉnh để sản xuất hàng loạt đều là công nghệ độc quyền và bí mật. Việc chuyển giao cho đối thủ cạnh tranh đương nhiên là một tội ác."
Các bị cáo này là đồng phạm của ông Kim (cựu trưởng phòng Samsung Electronics), người đã nhận mức án cao nhất từ trước đến nay cho tội danh rò rỉ công nghệ. Ông Kim đã chuyển sang CXMT vào năm 2016 khi công ty này được thành lập, bị cáo buộc đã nhận hàng tỷ won tiền hối lộ để đổi lấy việc chuyển giao thông tin quy trình DRAM 18 nanomet bị đánh cắp từ Samsung Electronics và lôi kéo khoảng 20 nhân viên của Samsung. Ông Kim đã bị kết án 6 năm tù và phạt 200 triệu won trong phiên phúc thẩm.
Điều tra cho thấy ông Yang và các đồng phạm đã nhận thông tin quy trình bị ông Kim tiết lộ và liên tục can thiệp để giúp CXMT thành công trong việc sản xuất DRAM hàng loạt. Trong số thông tin mà họ nhận được từ ông Kim, có cả tài liệu sao chép thủ công chi tiết khoảng 600 bước quy trình sản xuất DRAM 18 nanomet.
Công tố viên cho rằng CXMT đã có thể vượt qua "rào cản công nghệ bán dẫn bộ nhớ", vốn được coi là điểm yếu của Trung Quốc, nhờ vào hành vi phạm tội của những người này. Trước khi đánh cắp thông tin quy trình của Samsung Electronics, CXMT chỉ sản xuất DRAM cũ với giá trị thị trường thấp, hầu như không có thị phần trong thị trường bán dẫn bộ nhớ. Tuy nhiên, việc sản xuất DRAM 18 nanomet đã giúp họ chiếm thị phần lớn nhất tại thị trường nội địa Trung Quốc. Trong quý 1 năm nay, CXMT đã vươn lên vị trí thứ 4 về thị phần DRAM toàn cầu, sau SK Hynix, Samsung Electronics và Micron.
Công tố viên dự kiến sẽ sớm truy tố ông Yang và các đồng phạm, đồng thời tiếp tục điều tra những đồng phạm còn lại đang làm việc tại CXMT.