VNR Content
Pearl
Samsung Electronics đang lên kế hoạch sử dụng công nghệ sản xuất chip được SK Hynix áp dụng, theo nhiều nguồn tin. Nhà sản xuất bộ nhớ hàng đầu thế giới đang tìm cách bắt kịp đối thủ trong cuộc đua sản xuất chip nhớ cao cấp, được sử dụng để phục vụ cho nhu cầu trí tuệ nhân tạo đang bùng nổ.
Nhu cầu về chip bộ nhớ băng thông cao (HBM) đã tăng mạnh với sự phổ biến của hệ sinh thái AI. Tuy nhiên, trong khi các đối thủ SK Hynix và Micron Technology đều đã có hợp đồng với Nvidia, ông lớn Hàn Quốc trở nên lạc lõng vì không có bất kỳ thỏa thuận nào với Nvidia.
Một trong những lý do Samsung tụt lại phía sau là quyết định tiếp tục sử dụng công nghệ gọi là film không dẫn điện (NCF), gây ra một số vấn đề trong sản xuất. Trong khi Hynix đã chuyển sang phương pháp mass reflow molded underfill (MR-MUF) để khắc phục điểm yếu của NCF, theo các nhà phân tích và người quan sát ngành công nghiệp.
Tuy nhiên, Samsung gần đây đã bắt đầu đặt hàng mua thiết bị sản xuất chip được thiết kế để đáp ứng kỹ thuật MUF, ba nguồn tin có hiểu biết trực tiếp về vấn đề này cho biết. Họ đã thừa nhận sự tụt hậu trong công nghệ sản xuất của mình
"Samsung phải làm gì đó để tăng năng suất sản xuất HBM. Việc áp dụng kỹ thuật MUF là hành vi gác lại lòng tự tôn của Samsung khi họ đã đi sau về kỹ thuật, vốn được SK Hynix tiên phong," một trong những nguồn tin nói.
Tuy nhiên, Samsung đã tuyên bố nói rằng "tin đồn Samsung sẽ áp dụng MR-MUF vào sản xuất HBM là không đúng". Samsung cho biết công nghệ NCF của họ là một "giải pháp tối ưu" cho các sản phẩm HBM và sẽ được sử dụng trong chip HBM3E mới của họ. "Chúng tôi đang tiến hành kinh doanh sản phẩm HBM3E của mình như đã lên kế hoạch," Samsung nói trong phản hồi với các câu hỏi của Reuters về bài viết.
Hiệu suất sản xuất chip HBM3 của Samsung đứng ở mức khoảng 10-20%, kém xa SK Hynix đang đảm bảo năng suất khoảng 60-70% đối với sản phẩm HBM3 của họ. Samsung đã bác bỏ các ước lượng hiệu suất sản xuất đó và nói rằng họ đảm bảo một "tỷ lệ năng suất ổn định" mà không giải thích rõ ràng.
HBM3 và HBM3E là phiên bản mới nhất của các chip bộ nhớ băng thông cao được đóng gói cùng với chip xử lý, giúp xử lý lượng lớn dữ liệu trong hệ sinh thái AI phát triển.
Theo một trong những nguồn tin, Samsung đã đàm phán với các nhà sản xuất vật liệu gồm Nagase của Nhật Bản, nhằm đáp ứng nguồn cung cấp vật liệu MUF. Nhưng việc sản xuất hàng loạt các chip cao cấp áp dụng MUF không thể sẵn sàng cho đến năm sau, vì công ty cần thực hiện thêm nhiều thử nghiệm.
Ba nguồn tin cho biết, Samsung dự định sử dụng cả hai kỹ thuật NCF và MUF cho chip HBM mới nhất. Tất cả đều ẩn danh vì thông tin nhạy cảm không tiện công khai. Bất kỳ động thái nào sử dụng MUF nào sẽ càng cho thấy áp lực ngày càng tăng lên đối với Samsung trong cuộc đua chip AI. Thị trường chip HBM theo công ty nghiên cứu TrendForce dự kiến, sẽ tăng gấp đôi trong năm nay lên gần 9 tỷ USD do nhu cầu AI bùng nổ.
Công nghệ sản xuất chip NCF đã được các nhà sản xuất sử dụng rộng rãi để xếp chồng nhiều lớp chip trên một bộ chipset HBM nhỏ gọn, sử dụng tấm phim mỏng nén nhiệt giúp giảm thiểu không gian giữa các lớp xếp chồng. Tuy nhiên, có những vấn đề liên quan đến vật liệu dính khi quy trình sản xuất trở nên phức tạp do có thêm nhiều lớp hơn. Samsung nói rằng chip HBM3E mới nhất của họ có 12 lớp.
SK Hynix đã chuyển thành công sang kỹ thuật mass reflow molded underfill trước các đối thủ, trở thành cái tên đầu tiên cung cấp chip HBM3 cho Nvidia. Đơn hàng HBM3 và các sản phẩm HBM tiên tiến của SK Hynix cho Nvidia được ước tính trên 80% trong năm nay, theo Jeff Kim, một nhà phân tích tại KB Securities. Micron đã tham gia vào cuộc đua chip nhớ băng thông cao vào tháng trước, thông báo rằng chip HBM3E mới nhất của họ sẽ được Nvidia sử dụng, cung cấp cho chip AI Tensor H200.
>>> Vốn hóa Nvidia tăng "thần tốc", cổ phiếu bứt phá ngoạn mục
Nhu cầu về chip bộ nhớ băng thông cao (HBM) đã tăng mạnh với sự phổ biến của hệ sinh thái AI. Tuy nhiên, trong khi các đối thủ SK Hynix và Micron Technology đều đã có hợp đồng với Nvidia, ông lớn Hàn Quốc trở nên lạc lõng vì không có bất kỳ thỏa thuận nào với Nvidia.
Một trong những lý do Samsung tụt lại phía sau là quyết định tiếp tục sử dụng công nghệ gọi là film không dẫn điện (NCF), gây ra một số vấn đề trong sản xuất. Trong khi Hynix đã chuyển sang phương pháp mass reflow molded underfill (MR-MUF) để khắc phục điểm yếu của NCF, theo các nhà phân tích và người quan sát ngành công nghiệp.
Tuy nhiên, Samsung gần đây đã bắt đầu đặt hàng mua thiết bị sản xuất chip được thiết kế để đáp ứng kỹ thuật MUF, ba nguồn tin có hiểu biết trực tiếp về vấn đề này cho biết. Họ đã thừa nhận sự tụt hậu trong công nghệ sản xuất của mình
Tuy nhiên, Samsung đã tuyên bố nói rằng "tin đồn Samsung sẽ áp dụng MR-MUF vào sản xuất HBM là không đúng". Samsung cho biết công nghệ NCF của họ là một "giải pháp tối ưu" cho các sản phẩm HBM và sẽ được sử dụng trong chip HBM3E mới của họ. "Chúng tôi đang tiến hành kinh doanh sản phẩm HBM3E của mình như đã lên kế hoạch," Samsung nói trong phản hồi với các câu hỏi của Reuters về bài viết.
Hiệu suất sản xuất chip HBM3 của Samsung đứng ở mức khoảng 10-20%, kém xa SK Hynix đang đảm bảo năng suất khoảng 60-70% đối với sản phẩm HBM3 của họ. Samsung đã bác bỏ các ước lượng hiệu suất sản xuất đó và nói rằng họ đảm bảo một "tỷ lệ năng suất ổn định" mà không giải thích rõ ràng.
HBM3 và HBM3E là phiên bản mới nhất của các chip bộ nhớ băng thông cao được đóng gói cùng với chip xử lý, giúp xử lý lượng lớn dữ liệu trong hệ sinh thái AI phát triển.
Ba nguồn tin cho biết, Samsung dự định sử dụng cả hai kỹ thuật NCF và MUF cho chip HBM mới nhất. Tất cả đều ẩn danh vì thông tin nhạy cảm không tiện công khai. Bất kỳ động thái nào sử dụng MUF nào sẽ càng cho thấy áp lực ngày càng tăng lên đối với Samsung trong cuộc đua chip AI. Thị trường chip HBM theo công ty nghiên cứu TrendForce dự kiến, sẽ tăng gấp đôi trong năm nay lên gần 9 tỷ USD do nhu cầu AI bùng nổ.
Công nghệ sản xuất chip NCF đã được các nhà sản xuất sử dụng rộng rãi để xếp chồng nhiều lớp chip trên một bộ chipset HBM nhỏ gọn, sử dụng tấm phim mỏng nén nhiệt giúp giảm thiểu không gian giữa các lớp xếp chồng. Tuy nhiên, có những vấn đề liên quan đến vật liệu dính khi quy trình sản xuất trở nên phức tạp do có thêm nhiều lớp hơn. Samsung nói rằng chip HBM3E mới nhất của họ có 12 lớp.
SK Hynix đã chuyển thành công sang kỹ thuật mass reflow molded underfill trước các đối thủ, trở thành cái tên đầu tiên cung cấp chip HBM3 cho Nvidia. Đơn hàng HBM3 và các sản phẩm HBM tiên tiến của SK Hynix cho Nvidia được ước tính trên 80% trong năm nay, theo Jeff Kim, một nhà phân tích tại KB Securities. Micron đã tham gia vào cuộc đua chip nhớ băng thông cao vào tháng trước, thông báo rằng chip HBM3E mới nhất của họ sẽ được Nvidia sử dụng, cung cấp cho chip AI Tensor H200.
>>> Vốn hóa Nvidia tăng "thần tốc", cổ phiếu bứt phá ngoạn mục
