Bỉ Ngạn Hoa
Writer
Samsung đang chuẩn bị sẵn sàng một số công nghệ khá đột phá: xếp chồng bộ nhớ trên CPU hoặc GPU để cải thiện hiệu suất. Việc chuyển sang kỹ thuật xếp chồng này có thể ảnh hưởng đến hiệu năng, hiệu suất sử dụng điện và dung lượng.
Công nghệ xếp chồng liên quan đến phương pháp đóng gói 3D mới thuộc nền tảng Công nghệ kết nối nâng cao (SAINT) của Samsung, với phiên bản mới nhất hiện nay được đặt tên là SAINT-D. Mỗi biến thể bao gồm một công nghệ xếp chồng 3D khác nhau, trong đó SAINT-S xếp khuôn SRAM lên trên khuôn logic; SAINT-L xếp chồng trên khuôn logic; và cuối cùng, SAINT-D xếp chồng bộ nhớ băng thông cao HBM lên trên các chip logic, nghĩa là CPU hoặc GPU.
SAINT-D giới thiệu cách xếp HBM theo chiều dọc trên bộ xử lý và kết nối nó thông qua một đế giữa hai chip. Đây là một sự thay đổi lớn so với phương pháp đóng gói 2.5D hiện tại của Samsung, kết nối các chip HBM với GPU theo chiều ngang bằng một bộ chuyển đổi silicon.
Việc giới thiệu cách đóng gói 3D có thể là bước đầu tiên hướng tới việc ra mắt HBM4 thế hệ tiếp theo của Samsung. Bản thân Samsung coi SAINT-D là “bước đột phá DRAM cho HPC (điện toán hiệu năng cao) và AI”. Công ty cũng mô tả những lợi ích của việc sử dụng kỹ thuật xếp chồng này, như tờ The Korea Economic Daily trích dẫn: “Cách đóng gói 3D giúp giảm mức tiêu thụ điện năng và độ trễ xử lý, cải thiện chất lượng tín hiệu điện của chip bán dẫn”.
Tại sự kiện Diễn đàn Samsung Foundry 2024, Samsung công bố sẽ cung cấp dịch vụ đóng gói 3D HBM mới là một phần của dịch vụ chìa khóa trao tay. Điều này có nghĩa là Samsung sẽ vừa sản xuất chip HBM vừa tích hợp chúng vào GPU cho các công ty không có kinh nghiệm. Vì SAINT-D được cho là sẽ ra mắt trong năm nay và mẫu HBM4 thế hệ tiếp theo dự kiến sẽ ra mắt vào năm 2025, phương pháp xếp chồng mới này có thể sẽ sớm gây được tiếng vang lớn trong các trường hợp sử dụng HPC, bao gồm cả các ứng dụng AI khác nhau.
Bước đột phá này của Samsung hiện không có nhiều ý nghĩa đối với người tiêu dùng thông thường. Bộ nhớ HBM, đúng như tên gọi của nó, được sử dụng trong môi trường hiệu suất cao và trên hết, công nghệ đóng gói 3D này được cho là sản xuất thậm chí còn đắt hơn so với các phiên bản tiền nhiệm. Tuy nhiên, 3D VRAM là một khái niệm thú vị. Có lẽ nếu nó hoạt động tốt trong các trung tâm dữ liệu, một ngày nào đó nó có thể được đưa vào PC thông thường.
Công nghệ xếp chồng liên quan đến phương pháp đóng gói 3D mới thuộc nền tảng Công nghệ kết nối nâng cao (SAINT) của Samsung, với phiên bản mới nhất hiện nay được đặt tên là SAINT-D. Mỗi biến thể bao gồm một công nghệ xếp chồng 3D khác nhau, trong đó SAINT-S xếp khuôn SRAM lên trên khuôn logic; SAINT-L xếp chồng trên khuôn logic; và cuối cùng, SAINT-D xếp chồng bộ nhớ băng thông cao HBM lên trên các chip logic, nghĩa là CPU hoặc GPU.
SAINT-D giới thiệu cách xếp HBM theo chiều dọc trên bộ xử lý và kết nối nó thông qua một đế giữa hai chip. Đây là một sự thay đổi lớn so với phương pháp đóng gói 2.5D hiện tại của Samsung, kết nối các chip HBM với GPU theo chiều ngang bằng một bộ chuyển đổi silicon.
Các biến thể công nghệ xếp chồng 3D của Samsung
Việc giới thiệu cách đóng gói 3D có thể là bước đầu tiên hướng tới việc ra mắt HBM4 thế hệ tiếp theo của Samsung. Bản thân Samsung coi SAINT-D là “bước đột phá DRAM cho HPC (điện toán hiệu năng cao) và AI”. Công ty cũng mô tả những lợi ích của việc sử dụng kỹ thuật xếp chồng này, như tờ The Korea Economic Daily trích dẫn: “Cách đóng gói 3D giúp giảm mức tiêu thụ điện năng và độ trễ xử lý, cải thiện chất lượng tín hiệu điện của chip bán dẫn”.
Tại sự kiện Diễn đàn Samsung Foundry 2024, Samsung công bố sẽ cung cấp dịch vụ đóng gói 3D HBM mới là một phần của dịch vụ chìa khóa trao tay. Điều này có nghĩa là Samsung sẽ vừa sản xuất chip HBM vừa tích hợp chúng vào GPU cho các công ty không có kinh nghiệm. Vì SAINT-D được cho là sẽ ra mắt trong năm nay và mẫu HBM4 thế hệ tiếp theo dự kiến sẽ ra mắt vào năm 2025, phương pháp xếp chồng mới này có thể sẽ sớm gây được tiếng vang lớn trong các trường hợp sử dụng HPC, bao gồm cả các ứng dụng AI khác nhau.
Bước đột phá này của Samsung hiện không có nhiều ý nghĩa đối với người tiêu dùng thông thường. Bộ nhớ HBM, đúng như tên gọi của nó, được sử dụng trong môi trường hiệu suất cao và trên hết, công nghệ đóng gói 3D này được cho là sản xuất thậm chí còn đắt hơn so với các phiên bản tiền nhiệm. Tuy nhiên, 3D VRAM là một khái niệm thú vị. Có lẽ nếu nó hoạt động tốt trong các trung tâm dữ liệu, một ngày nào đó nó có thể được đưa vào PC thông thường.
